【科技】北京第三代半导体材料及应用联合革新基地建设取得重要阶段性进展

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5月25日，北京市科学委员会、顺义区政府、国家半导体照明联盟共同举办了北京第三代半导体材料和应用共同创新基地共同建设事业会。

在会议上，荷兰代尔夫特理工大学和顺义区政府签订了战术合作框架协定，举行了第三代半导体共同创新创业孵化中心的暴露仪式。 科技部曹健林副部长、北京市科技委员会副主任朱世龙、顺义区区长卢映川、荷兰驻华大使贾高博、北京科技合作中心主任季小兵、北京市科技委员会委员王创新等领导出席了会议。 国家半导体照明联盟秘书长、科技部第三代半导体要点专家组专家吴玲研究员、科技部半导体照明要点专家组专家李晋闽研究员、沈波教授等和首都创新大联盟各成员联盟、第三代半导体行业公司代表100人参加了会议，这次

代尔夫特理工大学与顺义区政府战术合作框架协议的签订，使第三代半导体材料和应用联合创新基地引进国际特征创新资源，聚集世界创新创业人才取得新进展，逐步发挥北京突出的科技资源特征和独特的国际交流特征， 从全国科技创新中心建设的高度对联合创新基地的快速发展进行科学规划和部署，构建辐射北京、全国、引领产业快速发展的国际化第三代半导体开放型创新环境。

第三代半导体共同创新创业孵化中心将开放的公共研发平台与试制技术平台整合起来，有利于首都创新大联盟的广大成员公司参加和通过创造者。