【科技】我新一代雷达核心部件材料实现国产化

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最近，中国自主开发的4英寸高纯度半绝缘碳化硅( sic )基板产品上市了。 中国电子材料领域协会组织的专家认为这一成果在国内是领先的，达到了国际先进水平。

碳化硅类微波功率器件具有高频、大功率、耐高温的特点，是新一代雷达系统的核心。 长期以来，碳化硅基微波功率器件的核心材料高纯度半绝缘碳化硅衬底产品生产、加工难度大，是国内的空白，国际上只有少数国家掌握了这一技术，对中国进行了技术封锁和产品禁运。

碳化硅类微波器件作为当今世界上最理想的微波器件，其功率密度是现在的微波器件的10倍，成为下一代雷达技术的基准，美军干扰机和宙斯盾驱逐舰的相控阵雷达是碳化硅类微波器件 高纯度半绝缘碳化硅衬底材料的开发可以说是中国新一代雷达系统突破的核心课题之一。

项目开发者、山东天岳企业负责人成功研制了4英寸高纯度半绝缘碳化硅半导体材料，中国具有自主控制的重要战术半导体材料，是新一代雷达、卫星通信、通信基站的核心，机载雷达系统、地面雷达