【科技】IBM突破7纳米制程瓶颈 或左右Power解决器快速发展

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ibm和合作伙伴成功开发了7纳米的测试芯片，继续摩尔定律，突破了半导体产业的瓶颈。 对ibm来说，7纳米工艺技术的后续快速发展会影响power系列解决方案的计划路线图。

据the platform网站报道，7纳米工艺芯片背后内置了许多未经批量生产测试的新技术，包括ibm和全球( globalfoundries )、三星电子( samsung electronics )等

ibm这次利用硅锗( silicon germanium )制造了一部分晶体管，因此在提高电路表现时可以迅速减少切换的功耗，电路都是极紫外线( extreme ultraviolet ) euv )光刻技术蚀刻。

根据ibm的研究，现在最先进的技术可以制造10纳米芯片，但使用硅锗制作晶体管和euv光刻可以缩小晶体管尺寸的一半，电路功率效率也可以提高50%。 但是，euv对振动特别敏感，制作过程非常精密，批量生产困难，价格也非常高。

根据ibm的说法，7纳米工艺可以在指甲大小的服务器芯片中容纳200亿个晶体管，大约是power8的4倍，芯片的尺寸也应该比power8小得多。 相比之下，英特尔(英特尔)推出的72核knights landing xeon phi解决方案现在只有大约80亿个晶体管。

关于服务器，英特尔( r )计划在xeon解决方案的broadwell体系结构系列中采用14nm工艺，同时在年末使用同样的14nm工艺批量生产skylake台式机和笔记本电脑 skylake xeon解决方案将于明年上市。

ibm在power系列芯片上与xeon的解决方案竞争，与其他竞争对手Intel并肩，提高了其他公司在power系列上投资的信心。

ibm为power7解决方案使用了45纳米工艺，升级为8核心芯片。 时钟速度为2.4~4.25ghz。 另外，每个芯片都内置了32mb的dram l3缓存，大大提高了多个业务性能。 power7芯片是同步多线程( simultaneousmultithreading； simultaneousmultithreading )也支持smt )，为每个核心提供四个线程，最多可以执行32个任务。

因为power7+可以缩小到32纳米工艺，ibm可以将l3缓存从power7的32mb提高到80mb，并稍微提高时钟速度。

ibm发布的power8缩小到22纳米工艺，芯片可以容纳42亿个晶体管。 由于达到了12个核心，l3缓存提高到了96mb，power8芯片smt增加到了每个核心8个线程。

根据openpower高性能计算( hpc )计划的蓝图，power9即将推出，interim power8芯片发布了支持nvidia的nvlink技术，将gpu和cpu紧密连接，

ibm及其openpower合作伙伴面向年后的power10，甚至power11芯片的开发计划。 但是，这是一边看7纳米工艺能否商业化，一边在时间和成本效益的前提下在globalfoundries的芯片工厂进行批量生产。